一、概述
DSDL-TSC/0.4系列可控硅無功補償裝置是一種動態跟蹤補償的新型電子式無觸點可控硅電容投切裝置,利用大功率晶閘管組成低壓雙向可控硅交流無觸點開關,可實現對多級電容器組的快速過零投切。在TSC裝置電容器支路中串聯適當的電感,可有效防止諧波放大、吸收部分諧波電流,起到諧波抑制的作用。同時該系列裝置采用三相獨立的控制技術有效解決了三相不平衡沖擊負荷補償的技術難題,裝置響應時間小于20ms,實現功率因數補償至0.9以上的目的。是無功補償領域中的升級換代產品。主要適用于工礦企業、石油、汽車、造船、發電廠、變電站、鋼鐵、冶金、化工、建筑、通信醫院機場等負荷頻繁變化的場所。
二、工作原理
TSC系列可控制硅動態無功功率補償器采用人工智能控制,由控制器、雙向可控硅、放電電阻、電容器、電抗器、保護元件組成。控制器實時跟蹤測量負荷的功率因數和無功電流,與預先設定的給定值進行比較,動態控制投切不同組數的電容器,以保證功率因數始終滿足設定要求。整個測量執行過程在一個周波內完成(時間≤20ms),控制器確保可控硅過零觸發。確保投切電容器無沖擊、無涌流、無過渡過程。既動態快速跟蹤負荷變化,又克服了傳統無功補償器對電容器所產生的危害和自身固有的缺陷。
三、主要參數
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響應時間 |
<20ms |
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調節方式 |
三相調解、分相調解 |
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控制量 |
無功功率、功率因數 |
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控制精度 |
0.5% |
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控制電源 |
AC220V/DC15V |
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總功率損耗 |
不超過額定功率的2% |
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殼體防護等級 |
IP30 |
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環境溫度 |
-35℃~+50℃ |
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符合標準 |
DL/T842-2003、IEC831-1、GB12747-91 |
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海拔高度 |
<2000m |
四、技術特點
1. 采用雙向反并聯晶閘管,可實現無觸點電子開關,延長開關使用壽命。
2. 實現過零投切,無沖擊,無涌流和過壓。
3. 可對三相平衡電網進行三相共補及三相不平衡負荷電網進行分相補償。
4. 全數字化控制,液晶顯示,操作方便。
5. 投切速度快,t<20ms。
6. 在規定的動態響應時間內,多級補償一次到位,補償后功率因數大于0.90。
7. 抑制電壓閃變。
8. 在外部故障或停電時自動退出,送電后自動恢復運行。
9. 國內首家在該領域獨創的動態無功補償調節器系統,抗干擾能力強,可靠性高。
10. 動態抑制系統諧波,主回路采用特殊設計電抗器,無論投 切幾組電容器都不會與系統發生諧振,保證補償器可靠運行。
11.可測量顯示1~31次諧波含量。
五、型號說明

六、原理接線圖

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